Микросхема КР159НТ1Д (1992г.)

Разность напряжений эмиттер-база транзисторов:

К15ЭНТ1А, КР159НТ1А, К159НТ1Б,

КР159НТ1Б, К159НТ1В, КР159НТ1В

 ≤ 3 мВ

К159НТ1Г, КР159НТ1Г, К159НТ1Д,

КР159НТ1Д, К159НТ1Е, КР159НТ1Е

 ≤ 15 мВ

Прямое падение напряжения между эмиттером

и базой (I_э = 1мА)

0,55...0,75 В

Обратный ток коллектор-база

 ≤ 200 нА

Обратный ток эмиттер-база

 ≤ 500 нА

Ток утечки между транзисторами VT1 и VT2 при

U = 20 В

 ≤ 20 нА

Коэффициент усиления по току (при U_кб = 5В

I_э =1 мА):

К159НТ1А, КР159НТ1А, К159НТ1Г,

КР159НТ1Г

 20...80

К159НТ1Б, КР159НТ1Б, К159НТ1Д,

КР159НТ1Д

 60…180

К159НТ1В, КР159НТ1В, К159НТ1Е,

КР159НТ1Е

 ≥ 80

Емкость коллектора на частоте 10 МГц

 ≤ 4 пФ

Емкость эмиттера на частоте 10 кГц

 ≤ 5 пФ

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Напряжение коллектор-база

20 В

Напряжение эмиттер-база

4 В

Напряжение между транзисторами

20 В

Ток коллектора постоянный

10 мА

Ток коллектора импульсный (t_н = З0 мкс)

40 мА

Рассеиваемая мощность (при T = -60...+ 70^е С)

50 мВт